МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
«ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» ПІДСИЛЮВАЧ НАПРУГИ НЧ НА БІПОЛЯРНОМУ ТРАНЗИСТОРІ Інструкція до лабораторної роботи № 1 з дисципліни: "Електроніка та мікросхемотехніка" для студентів базових напрямів: 6.170101 «Безпека інформаційних і комунікаційних систем», 6.170102 «Системи технічного захисту інформації», 6.170103 «Управління інформаційною безпекою». Затверджено на засіданні кафедри "Захист інформації" Протокол №1 від 30 серпня 2007 р. Львів – 2007 Підсилювач напруги НЧ на біполярному транзисторі: Інструкція до лабораторної роботи №1 з дисципліни: "Електроніка та мікросхемотехніка" / Укл.: Нечай О.М. - Львів: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2007. - 9 с. Укладач Нечай О.М., канд. техн. наук.  Відповідальний за випуск Дудикевич В.Б., д-р техн. наук, проф.  Рецензенти Кеньо Г.В., канд. техн. наук, доц. Стрілецький З.М., канд. техн. наук, доц. Мета роботи – 1. Дослідження принципу дії підсилювача напруги низької частоти (ПНЧ) на транзисторі, включеному зі спільним емітером; 2. Експериментальна перевірка розрахунку елементів схеми і визначення основних характеристик і параметрів; 3. Визначення впливу відхилень параметрів елементів схеми на роботу підсилювача в цілому. Теоретичні відомості Каскади підсилення напруги низької частоти частіше всього виконують на транзисторах, включених зі СЕ, тому що при цьому одержують найбільше підсилення сигналу по потужності (у порівнянні з двома іншими схемами включення транзистора - із СБ і СК). Робочу точку підсилювального каскаду вибирають у кожному конкретному випадку в залежності від параметрів, який повинний мати підсилювач. Основними вимогами, запропонованими до каскаду, є: максимальне підсилення по напрузі; мінімальні частотні і нелінійні спотворення; висока економічність; температурна стабільність. Одночасно виконати всі ці вимоги неможливо. Так, при великому підсиленні знижується стійкість роботи підсилювача, що легко збуджується, перетворюючись у генератор, і порушується його нормальне функціонування. Збільшення температурної стабільності обов'язково супроводжується зниженням підсилення і ккд.
Рис.1.1 Рис. 1. 2 У даній роботі досліджується підсилювач, до якого висувають вимогу мінімальних спотворювань сигналу, що підсилюється, при максимальному використанні можливостей транзистора. Робочу точку такого каскаду вибирають у визначеній послідовності. На сім’ї вихідних характеристик транзистора (рис.1.2,а) будують лінію навантаження БВ (див. пояснення до роботи “Режим каскаду з спільним емітером по постійному струмові“), виходячи з наступних умов:
(1.1)
(1.2) Виконання нерівності (1.1) необхідно для того, щоб колекторний струм насиченого транзистора був менше максимально припустимого струму
. Коефіцієнт 0,8 гарантує виконання цієї нерівності при розкиді опору резистора R3 і нестабільності джерела живлення Eк. Виконання нерівності (1.2) забезпечує надійну роботу транзистора в режимі відсічки або при обриві кола резистора R1, коли напруга на колекторі транзистора піднімається майже до Ек. Робоча точка каскаду А(р.T.) вибирається посередині робочої ділянки лінії навантаження БВ і характеризується трьома параметрами: струмами ІБ р.т і Ік.р. т і напругою UКЕР.т. Потім її переносять на вхідну характеристику транзистора, зняту при UКЕ = UКЕр.т, і по знайденому значенню ІБ РТ визначають напругу UБЄ РТ (рис.1.2, б). Вхідний сигнал (його струм Іб~, напруга UБЕ~) викликає появу змінних складових струму колектора Ік~ і напруги на колекторі UКЕ~ = ІК~·R3 (див. рис.1.1). Емітерний резистор R4 із кола змінного струму виключений, оскільки шунтується малим опором конденсатора СЗ. Розрахуємо коефіцієнт підсилення напруги К каскаду. Напруга вхідного сигналу Uвх від генератора ГС надходить через розділювальний конденсатор С1 на базу транзистора VT1 і викликає три струми. Два з них, що проходять через резистори R1 і R2 дільника, несуттєві, а третій, ІБ...